IBM y Samsung presentan un avance en semiconductores que desafía el diseño convencional

La arquitectura vertical del dispositivo demuestra el camino para escalar más allá del nanosheet.
Tiene como objetivo permitir una reducción de energía del 85% en comparación con los transistores finFET escalados.
Desarrollado en el Albany Nanotech Complex en Nueva York, hogar del ecosistema líder a nivel mundial en investigación y creación de prototipos de semiconductores.

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